Proizvođač Broj proizvoda:
SIJA52ADP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIJA52ADP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Detaljan opis:
N-Channel 40 V 41.6A (Ta), 131A (Tc) 4.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
3432 kom. Nova originalna na skladištu
13058086
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIJA52ADP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
40 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
41.6A (Ta), 131A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
1.63mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
5500 pF @ 20 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
4.8W (Ta), 48W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIJA52
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
742-SIJA52ADP-T1-GE3DKR
742-SIJA52ADP-T1-GE3TR
SIJA52ADP-T1-GE3DKR-ND
SIJA52ADP-T1-GE3TR
SIJA52ADP-T1-GE3CT
SIJA52ADP-T1-GE3DKR
SIJA52ADP-T1-GE3TR-ND
742-SIJA52ADP-T1-GE3CT
SIJA52ADP-T1-GE3CT-ND
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SI7423DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
SI7120DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
SI8467DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 4MICROFOOT
