Proizvođač Broj proizvoda:
SUM90P10-19L-E3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SUM90P10-19L-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Detaljan opis:
P-Channel 100 V 90A (Tc) 13.6W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventar:
5936 kom. Nova originalna na skladištu
13006327
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SUM90P10-19L-E3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
90A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
19mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
326 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
11100 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
13.6W (Ta), 375W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
TO-263 (D2PAK)
Paket / slučaj
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovni broj proizvoda
SUM90
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
HTML Tehnička dokumentacija
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIHF35N60E-GE3
MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220
SIHB6N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK
SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
