Proizvođač Broj proizvoda:
SUP70090E-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SUP70090E-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Detaljan opis:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
370 kom. Nova originalna na skladištu
13060855
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SUP70090E-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Bulk
Serije
ThunderFET®
Pakovanje
Bulk
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
50A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
7.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
8.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1950 pF @ 50 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-220AB
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
SUP70090
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
500
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SQ2351ES-T1_GE3
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
SQ3418EEV-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
SI2305ADS-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
