Proizvođač Broj proizvoda:
FDS5170N7
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FDS5170N7-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10.6A 8SO
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 10.6A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO FLMP
Inventar:
12840443
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FDS5170N7 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
PowerTrench®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
10.6A (Ta)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 10.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2889 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
3W (Ta)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
8-SO FLMP
Paket / slučaj
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Osnovni broj proizvoda
FDS51
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Ostala imena
FDS5170N7_NL
FDS5170N7DKR
FDS5170N7_NLCT
FDS5170N7_NLTR
FDS5170N7CT
FDS5170N7_NLCT-DG
FDS5170N7CT-NDR
FDS5170N7_NLTR-DG
FDS5170N7TR
FDS5170N7TR-NDR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
NTK3134NT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
FDMS0306S
INTEGRATED CIRCUIT
HUF76009D3ST
MOSFET N-CH 20V 20A TO252AA
