Proizvođač Broj proizvoda:
FQA13N50C-F109
Product Overview
Proizvođač:
onsemi
Broj dela:
FQA13N50C-F109-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 13.5A TO3P
Detaljan opis:
N-Channel 500 V 13.5A (Tc) 218W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventar:
12838434
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
FQA13N50C-F109 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
onsemi
Pakovanje
-
Serije
QFET®
Status proizvoda
Obsolete
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
500 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
13.5A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
480mOhm @ 6.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±30V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
2055 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
218W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-3P
Paket / slučaj
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovni broj proizvoda
FQA13
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
450
Ostala imena
FQA13N50C_F109
2832-FQA13N50C-F109
FQA13N50C_F109-DG
FQA13N50CF109
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
TK39J60W,S1VQ
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
22
DiGi BROJ DELOVA
TK39J60W,S1VQ-DG
JEDINIČNA CENA
5.38
TIP ZAMENE
Similar
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
FQPF2N60
MOSFET N-CH 600V 1.6A TO220F
HUF76432P3
MOSFET N-CH 60V 59A TO220-3
BFL4026-1E
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO220F-3FS
