Proizvođač Broj proizvoda:
EMA3T2R
Product Overview
Proizvođač:
Rohm Semiconductor
Broj dela:
EMA3T2R-DG
Opis:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Detaljan opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Inventar:
13523929
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
EMA3T2R Tehničke specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Bipolarni tranzistori u nizovima, prethodno polarizovani
Proizvođač
ROHM Semiconductor
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Status proizvoda
Active
Tranzistor Tip
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Struja - kolektor (IC) (maks)
100mA
Napon - kolektor odašiljač slom (maks)
50V
Otpornik - Baza (R1)
4.7kOhms
Otpornik - Emiter baza (R2)
-
DЦ struja Dobitak (hFE) (min) @ Iц, Vцe
100 @ 1mA, 5V
Vce Zasićenje (maks) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Struja - kolektor prekid (maks)
500nA (ICBO)
Frekvencija - Tranzicija
250MHz
Snaga - Maks
150mW
Tip montaže
Surface Mount
Paket / slučaj
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Dobavljač uređaja Paket
EMT5
Osnovni broj proizvoda
EMA3T2
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Dokumenti o pouzdanosti
Resursi za dizajn
Tehnički listovi
Dodatne informacije
Standardni paket
8,000
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
RN2710JE(TE85L,F)
Proizvođač
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA DOSTUPNA
3611
DiGi BROJ DELOVA
RN2710JE(TE85L,F)-DG
JEDINIČNA CENA
0.05
TIP ZAMENE
Direct
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
EMD4T2R
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMG8T2R
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5
EMB11FHAT2R
TRANS 2PNP 100MA EMT6
