Proizvođač Broj proizvoda:
SIDR140DP-T1-GE3
Product Overview
Proizvođač:
Vishay Siliconix
Broj dela:
SIDR140DP-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 79A/100A PPAK
Detaljan opis:
N-Channel 25 V 79A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventar:
13058981
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
Minimum 1
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI
SIDR140DP-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
25 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
79A (Ta), 100A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
0.67mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
+20V, -16V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
8150 pF @ 10 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8DC
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIDR140
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Tehnički listovi
HTML Tehnička dokumentacija
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
SIDR140DP-T1-GE3CT
SIDR140DP-T1-GE3DKR
SIDR140DP-T1-GE3TR
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
BROJ DELOVA
SIDR140DP-T1-RE3
Proizvođač
Vishay Siliconix
KOLIČINA DOSTUPNA
11998
DiGi BROJ DELOVA
SIDR140DP-T1-RE3-DG
JEDINIČNA CENA
1.00
TIP ZAMENE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikacija
Povezani proizvodi
SIB417AEDK-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 9A PPAK SC75-6
SI7882DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
SIB415DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6