SIR186DP-T1-RE3
Proizvođač Broj proizvoda:

SIR186DP-T1-RE3

Product Overview

Proizvođač:

Vishay Siliconix

Broj dela:

SIR186DP-T1-RE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Detaljan opis:
N-Channel 60 V 23A (Ta), 60A (Tc) 5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

Inventar:

6171 kom. Nova originalna na skladištu
13006287
Zatraži ponudu
Količina
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obavezno
Javićemo vam se u roku od 24 sata
POŠALJI

SIR186DP-T1-RE3 Tehničke specifikacije

Kategorija
FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Proizvođač
Vishay
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET® Gen IV
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
60 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
23A (Ta), 60A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
6V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.6V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1710 pF @ 30 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
5W (Ta), 57W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SIR186

Tehnička dokumentacija i dokumenti

Tehnički podaci
SIR186DP-T1-RE3
HTML Tehnička dokumentacija
SIR186DP-T1-RE3-DG
DIGI Sertifikacija
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Povezani proizvodi
vishay

SUM90P10-19L-E3

MOSFET P-CH 100V 90A TO263

vishay

SIHF35N60E-GE3

MOSFET N-CHANNEL 600V 32A TO220

vishay

SIHB6N80E-GE3

MOSFET N-CH 800V 5.4A D2PAK

vishay

SQJ488EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8